纳米器件的研究

在量子电子器件的研究方面，我国科学家研究了室温条件下单电子隧道效应，单原子单电子隧道结，超高真空STM室温库仑阻塞效应和高性能光电探测器以及原子夹层型量子器件。

清华大学已研制出100nm级的MOS器件，还研制出一系列硅微集成传感器、硅微麦克风、硅微马达、集成微型泵等器件，以及基于微米/纳米三维加工的新技术与新方法的微系统。

中科院半导体所研制了量子阱红外探测器和半导体量子点激光器，物理所已经研制出可在室温下工作的单电子原型器件。西安交通大学制作了碳纳米管场致发射显示器样机，已连续工作了3800小时。

在有机超高密度信息存储器的基础研究方面，中科院北京真空物理实验室、化学所和北京大学等单位的学者，在有机单体薄膜NBPDA上作出点阵，1997年，点径为1.3nm，1998年，点径为0.7nm，2000年，又达0.6nm，信息点直径比国外报导的研究结果小了近一个数量级，是现已实用化的光盘信息存储密度的近百万倍。北京大学采用双组份复合材料（TEA/TCNQ）作为超高密度信息存储器件材料，得到信息点为8nm的大面积信息点阵（3um×3um）的优异成就。复旦大学成功制备了高速高密度存储器用双稳态薄膜。并已经初步选择合成出几种具有自主知识产权的有机单分子材料，可望作为有机纳米集成电路的基础材料。

从我国纳米器件研究的情况来，主要集中在研究基础较好，设备设施相对齐全的研究院所和高校；如中科院有关研究所，北大、清华、复旦、南京大学等。由于投资不足，在硬件设施设备条件技术层次不高的情况下，能取得这些成绩，殊属不易。这些研究工作（Approaches）是"由大到小"（Top down）的工作，因此，总体上来说我国在纳米结构体系上的研究同国外还有较大的差距，特别在"由小到大"（bottom up）的研究工作有待实质性的起动。